STB100NF04T4, MOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2632 шт., срок 7-9 недель
1 040 руб.
от 10 шт. —
810 руб.
от 25 шт. —
735 руб.
от 100 шт. —
588.63 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 040 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Описание Транзистор N-MOSFET, STripFET™ II, полевой, 60В, 2,9А, Idm 16А Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
Pd - рассеивание мощности | 300 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.6 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 220 ns |
Время спада | 50 ns |
Высота | 4.6 mm |
Длина | 10.4 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 150 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STB100NF04 |
Технология | Si |
Тип | MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 80 ns |
Типичное время задержки при включении | 35 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Ширина | 9.35 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 120 A |
Maximum Drain Source Resistance | 5 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Pin Count | 3 |
Series | STripFET II |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
Width | 9.35mm |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.