STB10LN80K5, MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ 8 A MDmesh K5 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1878 шт., срок 7-9 недель
920 руб.
от 10 шт. —
730 руб.
от 25 шт. —
673 руб.
от 100 шт. —
522.95 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 920 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 13 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 550 mOhms |
| Rise Time: | 10 ns |
| Series: | STB10LN80K5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 28 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11.8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 13 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 8 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 110 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 15 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 550 mOhms |
| Rise Time | 10 ns |
| RoHS | Details |
| Series | MDmesh K5 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 28 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 11.8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 749 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
