STB14NK50ZT4, MOSFET N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6325 шт., срок 7-9 недель
600 руб.
от 1000 шт. —
470 руб.
от 5000 шт. —
454 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 600 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 12 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 92 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 380 mOhms |
| Rise Time: | 16 ns |
| Series: | STB14NK50Z |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 54 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 12 ns |
| Forward Transconductance - Min | 12 S |
| Height | 4.6 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 14 A |
| Length | 10.4 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Packaging | Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation | 150 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 69 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 380 mOhms |
| Rise Time | 16 ns |
| RoHS | Details |
| Series | STB14NK50Z |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 54 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 24 ns |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 9.35 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 380 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Вес, г | 3.95 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 619 КБ
Datasheet
pdf, 122 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 603 КБ
Datasheet
pdf, 621 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
