Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STB18N60DM2, MOSFET N-channel 600 V ...

STB18N60DM2, MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1944 шт., срок 7-9 недель

780 руб.

от 10 шт. — 610 руб.

от 100 шт. — 458 руб.

от 250 шт. — 396.39 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 780 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004827778

Артикул: STB18N60DM2

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	32.5 ns
Id - Continuous Drain Current:	12 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	D2PAK-3(TO-263-3)
Pd - Power Dissipation:	90 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	20 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	260 mOhms
Rise Time:	8 ns
Series:	STB18N60DM2
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	9.5 ns
Typical Turn-On Delay Time:	13.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Continuous Drain Current (Id)	12A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	295mΩ@6A, 10V
Drain Source Voltage (Vdss)	600V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	5V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	800pF@100V
Power Dissipation (Pd)	90W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	20nC@10V
Type	null
Вес, г	4