Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STB28N60DM2, MOSFET N-channel 600 V ...

STB28N60DM2, MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2917 шт., срок 7-9 недель

1 010 руб.

от 10 шт. — 800 руб.

от 25 шт. — 716 руб.

от 100 шт. — 573.65 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 010 руб.

Номенклатурный номер: 8004827801

Артикул: STB28N60DM2

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Id - Continuous Drain Current:	22 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	D2PAK-3(TO-263-3)
Pd - Power Dissipation:	190 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	39 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	130 mOhms
Series:	STB28N60DM2
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Вес, г	4