Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STB28NM50N, MOSFET N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

STB28NM50N, MOSFET N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

867 шт., срок 7-9 недель

1 810 руб.

от 10 шт. — 1 520 руб.

от 25 шт. — 1 470 руб.

от 100 шт. — 1 147.30 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 810 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8004827805

Артикул: STB28NM50N

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	52 ns
Id - Continuous Drain Current:	21 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	D2PAK-3(TO-263-3)
Pd - Power Dissipation:	150 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	50 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	158 mOhms
Rise Time:	19 ns
Series:	STB28NM50N
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	N-Channel MDmesh II Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	62 ns
Typical Turn-On Delay Time:	13.6 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	500 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Brand	STMicroelectronics
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	52 ns
Id - Continuous Drain Current	21 A
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-263-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	150 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	50 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	158 mOhms
Rise Time	19 ns
RoHS	Details
Series	N-channel MDmesh
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	N-Channel MDmesh II Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	62 ns
Typical Turn-On Delay Time	13.6 ns
Unit Weight	0.139332 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Vgs - Gate-Source Voltage	+/-25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V
Вес, г	4