Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STB37N60DM2AG, MOSFET Automotive-grade ...

STB37N60DM2AG, MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1166 шт., срок 6-8 недель

1 750 руб.

от 10 шт. — 1 480 руб.

от 25 шт. — 1 300 руб.

от 100 шт. — 1 109.81 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 750 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004827823

Артикул: STB37N60DM2AG

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	10.7 ns
Id - Continuous Drain Current:	28 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	D2PAK-3(TO-263-3)
Pd - Power Dissipation:	210 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Product:	Power MOSFETs
Qg - Gate Charge:	54 nC
Qualification:	AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance:	110 mOhms
Rise Time:	17 ns
Series:	STB37N60DM2AG
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Type:	High Voltage
Typical Turn-Off Delay Time:	68 ns
Typical Turn-On Delay Time:	21.2 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	28 A
Maximum Drain Source Resistance	0.094 Ω
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.9V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Series	STB37N60
Transistor Material	SiC
Вес, г	4