Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STB75NF20, MOSFET Low charge STripFET

STB75NF20, MOSFET Low charge STripFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

391 шт., срок 7-9 недель

1 480 руб.

от 100 шт. — 1 000 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 480 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8004827847

Артикул: STB75NF20

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	29 ns
Forward Transconductance - Min:	40 S
Id - Continuous Drain Current:	75 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-50 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	D2PAK-3(TO-263-3)
Pd - Power Dissipation:	190 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	84 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	34 mOhms
Rise Time:	33 ns
Series:	STB75NF20
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	STripFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	75 ns
Typical Turn-On Delay Time:	53 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	200 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)	75
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	34 10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	200
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	190000
Minimum Operating Temperature (°C)	-50
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	2
Pin Count	3
PPAP	No
Process Technology	STripFET
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO-263
Supplier Package	D2PAK
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	29
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	84
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	84 10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	3260 25V
Typical Rise Time (ns)	33
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	75
Typical Turn-On Delay Time (ns)	53
Вес, г	4