STB8N90K5, MOSFET N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ 8 A MDmesh K5 Power MOSFET

STB8N90K5, MOSFET N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ 8 A MDmesh K5 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2789 шт., срок 7-9 недель
1 040 руб.
от 10 шт.810 руб.
от 25 шт.754 руб.
от 100 шт.588.63 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 040 руб.
Номенклатурный номер: 8004827861
Артикул: STB8N90K5
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
MDmesh K5 Power MOSFETs
STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best R DS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Fall Time: 13.5 ns
Id - Continuous Drain Current: 8 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-263-3
Pd - Power Dissipation: 130 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 11 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 600 mOhms
Rise Time: 13.2 ns
Series: STB8N90K5
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: MDmesh
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 36.4 ns
Typical Turn-On Delay Time: 14.7 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 900 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
Вес, г 3.95

Техническая документация

Datasheet
pdf, 723 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.