STD10LN80K5, MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ 8 A MDmesh K5 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2128 шт., срок 7-9 недель
850 руб.
от 10 шт. —
680 руб.
от 25 шт. —
625 руб.
от 100 шт. —
485.06 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 850 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
Pd - рассеивание мощности | 110 W |
Qg - заряд затвора | 15 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 630 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | STD10LN80K5 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Вес, г | 0.34 |
Техническая документация
Datasheet STD10LN80K5
pdf, 671 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.