STD11N50M2, MOSFET N-channel 500 V, 0.45 Ohm typ 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2473 шт., срок 7-9 недель
380 руб.
от 10 шт. —
300 руб.
от 100 шт. —
215 руб.
от 500 шт. —
170.53 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 380 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
MDmesh™ II Power MOSFETsSTMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between R DS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 28.5 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
Pd - Power Dissipation: | 85 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 12 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 450 mOhms |
Rise Time: | 9 ns |
Series: | STD11N50M2 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 8 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 741 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.