STD12N50DM2, MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1367 шт., срок 7-9 недель

520 руб.

от 10 шт. — 410 руб.

от 100 шт. — 307 руб.

от 500 шт. — 241.44 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 520 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004827911

Артикул: STD12N50DM2

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power МОП-транзистор in a DPAK package

Id - непрерывный ток утечки	11 A
Pd - рассеивание мощности	110 W
Qg - заряд затвора	120 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	350 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	9 ns
Время спада	9.8 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	STD12N50DM2
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	28 ns
Типичное время задержки при включении	12.5 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	TO-252-3
Вес, г	4