STD140N6F7, MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1235 шт., срок 6-8 недель
460 руб.
от 10 шт. —
370 руб.
от 100 шт. —
284 руб.
от 250 шт. —
259.87 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
STMicroelectronics STripFET VII Power MOSFETs
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 134 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 55 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.1 mOhms |
| Rise Time: | 68 ns |
| Series: | STD140N6F7 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 39 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 532 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
