Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STD18NF25, MOSFET N-channel 250 V 17A STripFET II

STD18NF25, MOSFET N-channel 250 V 17A STripFET II

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1252 шт., срок 6-8 недель

630 руб.

от 10 шт. — 490 руб.

от 100 шт. — 369 руб.

от 250 шт. — 317.61 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 630 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8004827939

Артикул: STD18NF25

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Fall Time:	8.8 ns
Id - Continuous Drain Current:	17 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-252-3
Pd - Power Dissipation:	110 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	29.5 nC
Qualification:	AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance:	165 mOhms
Rise Time:	17.2 ns
Series:	STD18NF25
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	STripFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	21 ns
Typical Turn-On Delay Time:	8.8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	250 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	2500
Fall Time	8.8 ns
Id - Continuous Drain Current	17 A
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+175 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-252-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	110 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	29.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	165 mOhms
Rise Time	17.2 ns
RoHS	Details
Series	N-channel STripFET
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	21 ns
Typical Turn-On Delay Time	8.8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	250 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Вес, г	0.33