STD1NK60-1, MOSFET N-Ch 600 Volt 1.0 A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1398 шт., срок 6-8 недель
230 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
от 100 шт. —
130 руб.
от 500 шт. —
99.22 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 230 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 0,63А, 30Вт, I2PAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 25 ns |
Forward Transconductance - Min: | 1 S |
Id - Continuous Drain Current: | 1 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-251-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 3 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 7 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 Ohms |
Rise Time: | 5 ns |
Series: | STQ1HNK60R |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 6.5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.25 V |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 1 A |
Maximum Drain Source Resistance | 8.5 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 30 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2.25V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | IPAK(TO-251) |
Pin Count | 3 |
Series | MDmesh, SuperMESH |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
Width | 6.2mm |
Вес, г | 0.34 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары