STD3N95K5AG, MOSFET Automotive-grade N-channel 950 V, 4.3 Ohm typ 2 A MDmesh K5 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2475 шт., срок 6-8 недель
540 руб.
от 10 шт. —
420 руб.
от 100 шт. —
315 руб.
от 250 шт. —
282.32 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 32.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 45 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.4 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.3 Ohms |
| Rise Time: | 13.5 ns |
| Series: | STD3N95K5AG |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20.5 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 950 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 647 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SK1358, Транзистор N-MOSFET 900В 9А 150Вт [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![2SK2847, Транзистор, N-канал, DC/DC конверторы, драйверы электродвигателей [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/219/DOC000219587.jpg)
![2П301Б, Транзистор, P-канальный с изолированным затвором [КТ-114]](https://static.chipdip.ru/lib/215/DOC000215703.jpg)
![2SK2837, Транзистор, N-канал, высокоскоростной, высокоточные ключи, драйверы электродвигателей [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/242/DOC000242335.jpg)
![2SK3569, Транзистор, TT-MOSVI, N-канал, 600В, 10А [SC-67 / 2-10U1B]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304568.jpg)
