STGB15H60DF, IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
958 шт., срок 7-9 недель
460 руб.
от 10 шт. —
380 руб.
от 100 шт. —
311 руб.
от 250 шт. —
265.27 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
115W 30A 600V FS(Field Stop) D2PAK IGBTs ROHS
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 30 A |
Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | D2PAK |
Pd - Power Dissipation: | 115 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Collector Current (Ic) | 30A |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V |
Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 103ns |
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | - |
Input Capacitance (Cies@Vce) | - |
Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 115W |
Pulsed Collector Current (Icm) | 60A |
Turn?off Switching Loss (Eoff) | 0.207mJ |
Turn?on Switching Loss (Eon) | 0.136mJ |
Type | FS(Field Stop) |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 761 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.