STGB19NC60HDT4, IGBT Transistors N Ch 600V 19A

STGB19NC60HDT4, IGBT Transistors N Ch 600V 19A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2773 шт., срок 7-9 недель
820 руб.
от 10 шт.650 руб.
от 25 шт.597 руб.
от 100 шт.462.32 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 820 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8004828491
Артикул: STGB19NC60HDT4
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 19A

Технические параметры

Вид монтажа SMD/SMT
Высота 4.6 mm
Длина 10.4 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 40 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STGB19NC60HDT4
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка / блок D2PAK-3
Ширина 9.35 mm
Вес, г 2.24

Техническая документация

Datasheet STGB19NC60HDT4
pdf, 688 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.