STGB19NC60HDT4, IGBT Transistors N Ch 600V 19A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2773 шт., срок 7-9 недель
820 руб.
от 10 шт. —
650 руб.
от 25 шт. —
597 руб.
от 100 шт. —
462.32 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 820 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 19A
Технические параметры
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 4.6 mm |
Длина | 10.4 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 40 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STGB19NC60HDT4 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | D2PAK-3 |
Ширина | 9.35 mm |
Вес, г | 2.24 |
Техническая документация
Datasheet STGB19NC60HDT4
pdf, 688 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.