STGB20M65DF2, IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
977 шт., срок 7-9 недель
630 руб.
от 10 шт. —
490 руб.
от 100 шт. —
370 руб.
от 250 шт. —
318.32 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 630 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.55 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 40 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 uA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 166 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | STGB20M65DF2 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 1.38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 659 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
