Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ST Microelectronics › STGW60H65DFB, IGBT Transistors 600V 60A ...

STGW60H65DFB, IGBT Transistors 600V 60A trench gate field-stop IGBT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

875 шт., срок 6-8 недель

1 670 руб.

от 10 шт. — 1 520 руб.

от 25 шт. — 1 170 руб.

от 100 шт. — 937.01 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 670 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004828621

Артикул: STGW60H65DFB

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Новейшие технологии в силовых MOSFET и IGBT
STMicroelectronics предлагает новейшие технологии в Power MOSFET и IGBT. ST предлагает широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов, адаптированных к вашему конкретному применению, ориентированных на SMPS, освещение, управление двигателями и различные промышленные приложения. Портфель ST 'включает высоковольтные полевые МОП-транзисторы с суперпереходом и полевые транзисторы IGBT с траншейным затвором для жестких и мягких коммутируемых топологий, а также низковольтные траншейные полевые МОП-транзисторы для преобразования мощности и приводы двигателей BLDC. Последние SiC MOSFET на 1200 В компании ST сочетают в себе самый высокий в отрасли рейтинг температуры перехода 200 ° C с очень низкой площадью RDS (включено) (с минимальным отклонением от температуры) и отличными коммутационными характеристиками для более эффективных и компактных конструкций SMPS. Для управления двигателем IGBT серии M предлагают оптимизированный компромисс между VCE (SAT) и E (выкл.), А также надежный рейтинг короткого замыкания. Ознакомьтесь с полным ассортиментом полевых МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов ST для любых силовых схем.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.6 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	80 A
Continuous Collector Current Ic Max:	60 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	600
Gate-Emitter Leakage Current:	250 nA
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Package/Case:	TO-247-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	375 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Series:	STGW60H65DFB
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Automotive	No
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	Through Hole
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	650
Maximum Continuous Collector Current (A)	80
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)	0.25
Maximum Gate Emitter Voltage (V)	±20
Maximum Operating Temperature (°C)	175
Maximum Power Dissipation (mW)	375
Minimum Operating Temperature (°C)	-40
Mounting	Through Hole
Packaging	Tube
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Standard Package Name	TO
Supplier Package	TO-247
Supplier Temperature Grade	Industrial
Tab	Tab
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)	1.65
Brand	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.6 V
Continuous Collector Current at 25 C	80 A
Continuous Collector Current Ic Max	60 A
Factory Pack Quantity	600
Gate-Emitter Leakage Current	250 nA
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Maximum Operating Temperature	+175 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-247-3
Pd - Power Dissipation	375 W
Product Category	IGBT Transistors
RoHS	Details
Series	600-650V IGBTs
Technology	Si
Вес, г	38