Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ST Microelectronics › STGW75H65DFB2-4, IGBT Transistors Trench gate ...

STGW75H65DFB2-4, IGBT Transistors Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

640 шт., срок 6-8 недель

1 610 руб.

от 25 шт. — 1 110 руб.

от 100 шт. — 1 010 руб.

от 250 шт. — 926.77 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 610 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8004828624

Артикул: STGW75H65DFB2-4

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series

Технические параметры

Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	600
Тип продукта	IGBT Transistors
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Base Product Number	STGW75 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	115A
Current - Collector Pulsed (Icm)	225A
ECCN	EAR99
Gate Charge	207nC
HTSUS	8541.29.0095
IGBT Type	Trench Field Stop
Input Type	Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-247-4
Power - Max	357W
REACH Status	REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)	88ns
Series	HB2 ->
Supplier Device Package	TO-247-4
Switching Energy	992ВµJ (on), 766ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C	22ns/121ns
Test Condition	400V, 75A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	115 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	357 W
Number of Transistors	1
Package Type	TO-247
Pin Count	4
Collector Emitter Saturation Voltage	1.55В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	115А
Power Dissipation	357Вт
Количество Выводов	4вывод(-ов)
Линейка Продукции	HB2
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Вес, г	4.43