STGWT30H60DFB, IGBT Transistors Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
900 шт., срок 6-8 недель
1 170 руб.
от 10 шт. —
1 040 руб.
от 25 шт. —
830 руб.
от 100 шт. —
664.43 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 170 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W сквозное отверстие TO-3P
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.55 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 60 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 30 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 300 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | TO-3P |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 260 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | STGWT30H60DFB |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Base Product Number | STGWT30 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
ECCN | EAR99 |
Gate Charge | 149nC |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Type | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Power - Max | 260W |
REACH Status | REACH Unaffected |
Reverse Recovery Time (trr) | 53ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-3P |
Switching Energy | 383ВµJ (on), 293ВµJ (off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 37ns/146ns |
Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 60 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 260 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Package Type | TO-3P |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 6.76 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1495 КБ
Datasheet
pdf, 682 КБ
STGW30H60DFB, STGWA30H60DFB, STGWT30H60DFB
pdf, 698 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары