STGYA120M65DF2AG, IGBT Transistors Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss

STGYA120M65DF2AG, IGBT Transistors Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1168 шт., срок 6-8 недель
2 400 руб.
от 10 шт.2 010 руб.
от 25 шт.1 840 руб.
от 50 шт.1 825.34 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 400 руб.
Номенклатурный номер: 8004828664
Артикул: STGYA120M65DF2AG
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.65 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 160 A
Factory Pack Quantity: 600
Gate-Emitter Leakage Current: 250 uA
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: MAX-247-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 625 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Qualification: AEC-Q101
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Вес, г 5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 531 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.