STGYA120M65DF2AG, IGBT Transistors Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1168 шт., срок 6-8 недель
2 400 руб.
от 10 шт. —
2 010 руб.
от 25 шт. —
1 840 руб.
от 50 шт. —
1 825.34 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 400 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 160 A |
Factory Pack Quantity: | 600 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 250 uA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | MAX-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 625 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Qualification: | AEC-Q101 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 531 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары