Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ST Microelectronics › TIP35CW, Bipolar Transistors - BJT HIGH POWER ...

TIP35CW, Bipolar Transistors - BJT HIGH POWER TRANS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

988 шт., срок 7-9 недель

620 руб.

от 10 шт. — 470 руб.

от 100 шт. — 364 руб.

от 250 шт. — 288.95 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 620 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8004831242

Артикул: TIP35CW

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO:	100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.8 V
Configuration:	Single
DC Collector/Base Gain hfe Min:	25
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	600
Gain Bandwidth Product fT:	3 MHz
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current:	25 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-247-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	125 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	TIP35CW
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN, PNP
Transistor Polarity	NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo
Вес, г	38