FCP11N60F, MOSFET 600V NCH MOSFET

Фото 1/2 FCP11N60F, MOSFET 600V NCH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
920 руб.
от 10 шт.730 руб.
от 50 шт.508 руб.
от 100 шт.438.09 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 920 руб.
Номенклатурный номер: 8004833305
Артикул: FCP11N60F

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Описание Н-Ч 600В 11А 125Вт 0,38Р ТО219

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 11 A
Pd - рассеивание мощности 125 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 380 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 98 ns
Время спада 56 ns
Высота 16.3 mm
Длина 10.67 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение SuperFET FRFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 9.7 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия FCP11N60F
Технология Si
Тип N-Channel MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 119 ns
Типичное время задержки при включении 34 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.7 mm
Вес, г 5

Техническая документация

Datasheet FCP11N60F
pdf, 595 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов