FCP11N60F, MOSFET 600V NCH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
920 руб.
от 10 шт. —
730 руб.
от 50 шт. —
508 руб.
от 100 шт. —
438.09 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 920 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Описание Н-Ч 600В 11А 125Вт 0,38Р ТО219
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
Pd - рассеивание мощности | 125 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 380 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 98 ns |
Время спада | 56 ns |
Высота | 16.3 mm |
Длина | 10.67 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | SuperFET FRFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 9.7 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FCP11N60F |
Технология | Si |
Тип | N-Channel MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 119 ns |
Типичное время задержки при включении | 34 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.7 mm |
Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet FCP11N60F
pdf, 595 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары