Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FCP190N65F, MOSFET N-Channel SuperFET sup ...

FCP190N65F, MOSFET N-Channel SuperFET sup /sup II FRFET sup /sup MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 240 руб.

от 10 шт. — 1 060 руб.

от 50 шт. — 864 руб.

от 100 шт. — 708.24 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 240 руб.

Номенклатурный номер: 8004833312

Артикул: FCP190N65F

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Brand:	onsemi/Fairchild
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	50
Fall Time:	4.2 ns
Forward Transconductance - Min:	18 S
Id - Continuous Drain Current:	20.6 A
Manufacturer:	onsemi
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	208 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	60 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	190 mOhms
Rise Time:	11 ns
Series:	FCP190N65F
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	SuperFET II FRFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	62 ns
Typical Turn-On Delay Time:	25 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	5 V
Вес, г	1.95