FCP600N60Z, MOSFET 600V N-Channel MOSFET

FCP600N60Z, MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
700 руб.
от 10 шт.530 руб.
от 100 шт.412 руб.
от 250 шт.289.63 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 700 руб.
Номенклатурный номер: 8004833322
Артикул: FCP600N60Z

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 600V N-Channel МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 4.7 A
Pd - рассеивание мощности 89 W
Qg - заряд затвора 26 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 600 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 24 ns
Время спада 28 ns
Высота 16.3 mm
Длина 10.67 mm
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение SuperFET II
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 6.7 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 800
Серия FCP600N60Z
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 88 ns
Типичное время задержки при включении 36 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.7 mm
Вес, г 1.8

Техническая документация

Datasheet FCP600N60Z
pdf, 808 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов