FCP600N60Z, MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
700 руб.
от 10 шт. —
530 руб.
от 100 шт. —
412 руб.
от 250 шт. —
289.63 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 700 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 600V N-Channel МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 4.7 A |
Pd - рассеивание мощности | 89 W |
Qg - заряд затвора | 26 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 600 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 24 ns |
Время спада | 28 ns |
Высота | 16.3 mm |
Длина | 10.67 mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | SuperFET II |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6.7 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 800 |
Серия | FCP600N60Z |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 88 ns |
Типичное время задержки при включении | 36 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.7 mm |
Вес, г | 1.8 |
Техническая документация
Datasheet FCP600N60Z
pdf, 808 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары