FCP7N60, MOSFET 600V N-Channel SuperFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
770 руб.
от 10 шт. —
580 руб.
от 100 шт. —
451 руб.
от 250 шт. —
404.01 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 770 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 600V N-Channel SuperFET
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
Pd - рассеивание мощности | 83 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 530 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 55 ns |
Время спада | 32 ns |
Высота | 16.3 mm |
Длина | 10.67 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | SuperFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FCP7N60 |
Технология | Si |
Тип | MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 75 ns |
Типичное время задержки при включении | 35 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.7 mm |
Вес, г | 8 |
Техническая документация
Datasheet FCP7N60
pdf, 583 КБ
Datasheet FCP7N60_FCPF60N
pdf, 1228 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары