FCPF150N65F, MOSFET SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
![FCPF150N65F, MOSFET SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516946.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 100 руб.
от 50 шт. —
780 руб.
от 100 шт. —
624 руб.
от 500 шт. —
568.76 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 100 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 24 A |
Pd - рассеивание мощности | 39 W |
Qg - заряд затвора | 94 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 150 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 16.07 mm |
Длина | 10.36 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FCPF150N65F |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.9 mm |
Вес, г | 99 |
Техническая документация
Datasheet FCPF150N65F
pdf, 884 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары