FCPF150N65F, MOSFET SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET

FCPF150N65F, MOSFET SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 100 руб.
от 50 шт.780 руб.
от 100 шт.624 руб.
от 500 шт.568.76 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 100 руб.
Номенклатурный номер: 8004833332
Артикул: FCPF150N65F

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 24 A
Pd - рассеивание мощности 39 W
Qg - заряд затвора 94 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 150 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа Through Hole
Высота 16.07 mm
Длина 10.36 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия FCPF150N65F
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.9 mm
Вес, г 99

Техническая документация

Datasheet FCPF150N65F
pdf, 884 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов