Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FCPF190N60E, MOSFET 600V N-CHAN MOSFET

FCPF190N60E, MOSFET 600V N-CHAN MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

990 руб.

от 50 шт. — 670 руб.

от 100 шт. — 570 руб.

от 500 шт. — 491.71 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 990 руб.

Номенклатурный номер: 8004833334

Артикул: FCPF190N60E

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Brand:	onsemi/Fairchild
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	50
Fall Time:	40 ns
Forward Transconductance - Min:	20 S
Id - Continuous Drain Current:	20.6 A
Manufacturer:	onsemi
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	39 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	82 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	190 mOhms
Rise Time:	38 ns
Series:	FCPF190N60E
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	SuperFET II
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	212 ns
Typical Turn-On Delay Time:	56 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3.5 V
Вес, г	22.68