Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FCPF600N60Z, MOSFET 600V N-Channel MOSFET

FCPF600N60Z, MOSFET 600V N-Channel MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

730 руб.

от 10 шт. — 560 руб.

от 100 шт. — 432 руб.

от 250 шт. — 372.37 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 730 руб.

Номенклатурный номер: 8004833349

Артикул: FCPF600N60Z

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 600V N-Channel МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	7.4 A
Pd - рассеивание мощности	28 W
Qg - заряд затвора	20 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	600 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	7 ns
Время спада	9 ns
Высота	16.07 mm
Длина	10.36 mm
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	SuperFET II
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	6.7 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	50 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	FCPF600N60Z
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	39 ns
Типичное время задержки при включении	13 ns
Торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220FP-3
Ширина	4.9 mm
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	7.4 A
Maximum Drain Source Resistance	600 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Source Voltage	+30 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	28 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220F
Pin Count	3
Series	SuperFET II
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	20 nC @ 10 V
Width	4.9mm
Вес, г	2.27