FDA59N25, MOSFET 250V N-Ch MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 030 руб.

от 10 шт. — 880 руб.

от 25 шт. — 726 руб.

от 100 шт. — 576.81 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 030 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004833369

Артикул: FDA59N25

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 35А, Idm: 236А, 392Вт, TO3PN Характеристики

Brand:	onsemi/Fairchild
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	30
Fall Time:	170 ns
Forward Transconductance - Min:	45 S
Id - Continuous Drain Current:	59 A
Manufacturer:	onsemi
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-3PN-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	392 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	82 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	49 mOhms
Rise Time:	480 ns
Series:	FDA59N25
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	90 ns
Typical Turn-On Delay Time:	70 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	250 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Вес, г	37