Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FDB029N06, MOSFET NCH 60V 2.9Mohm

FDB029N06, MOSFET NCH 60V 2.9Mohm

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 340 руб.

от 10 шт. — 1 230 руб.

от 25 шт. — 1 100 руб.

от 100 шт. — 994.66 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 340 руб.

Номенклатурный номер: 8004833381

Артикул: FDB029N06

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Brand:	onsemi/Fairchild
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	800
Fall Time:	33 ns
Forward Transconductance - Min:	154 S
Id - Continuous Drain Current:	193 A
Manufacturer:	onsemi
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	D2PAK-3
Pd - Power Dissipation:	231 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	151 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	2.4 mOhms
Rise Time:	178 ns
Series:	FDB029N06
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	PowerTrench
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	N-Channel MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	54 ns
Typical Turn-On Delay Time:	39 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.5 V
Вес, г	9