FDB2532, MOSFET 150V N-Channel QFET Trench
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 280 руб.
от 10 шт. —
1 020 руб.
от 100 шт. —
743 руб.
от 800 шт. —
531.57 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 280 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор полевой FDB2532 от производителя ONSEMI представляет собой высокопроизводительный компонент, идеально подходящий для различных электронных схем. Монтаж данного компонента осуществляется при помощи SMD-технологии, что обеспечивает удобство в интеграции на печатные платы. С током стока в 79 А и напряжением сток-исток в 150 В, этот N-MOSFET транзистор способен выдерживать значительные электрические нагрузки, при этом обладая мощностью в 310 Вт. Низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,014 Ом, сводит к минимуму потери энергии, что делает FDB2532 идеальным выбором для энергоэффективных применений. Корпус D2PAK обеспечивает надежную механическую защиту и теплоотвод. Ваш выбор модели FDB2532 гарантирует отличную производительность и надежность для вашего проекта. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 79 |
Напряжение сток-исток, В | 150 |
Мощность, Вт | 310 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.014 |
Корпус | D2PAK |
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
Fall Time: | 17 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 79 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
Part # Aliases: | FDB2532_NL |
Pd - Power Dissipation: | 310 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 107 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 mOhms |
REACH - SVHC: | Details |
Rise Time: | 30 ns |
Series: | FDB2532 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | PowerTrench |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 39 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 79 A |
Maximum Drain Source Resistance | 48 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 310 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Pin Count | 3 |
Series | PowerTrench |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
Width | 11.33mm |
Вес, г | 2.087 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов