FDC3512, MOSFET 80V N-Ch PowerTrench
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
от 10 шт. —
240 руб.
от 100 шт. —
174 руб.
от 500 шт. —
128.09 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 290 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
РАСШИРЕНИЕ МОП-транзисторов Power Trench ON Semiconductor расширило линейку полевых МОП-транзисторов Power Trench, чтобы предложить различные напряжения сток-исток, ток стока и R DS (ON). Дополнительные функции в этом расширении полевых МОП-транзисторов ON Semiconductor Power Trench® включают усовершенствованный корпус и комбинацию кремния для низкого R DS (ON) и высокой эффективности, термически эффективные корпуса, а также усовершенствованную технологию корпусных диодов следующего поколения, разработанную для мягкого восстановления. Приложения для этих полевых МОП-транзисторов Power Trench® включают синхронные выпрямители для преобразователей постоянного / постоянного тока, переключатели низкого уровня для ноутбуков или сетевых устройств, выпрямители на вторичной стороне телекоммуникационных сетей, переключатели нагрузки и многое другое.
Подробнее
ON Semiconductor предлагает как N-канальные, так и P-канальные версии полевых МОП-транзисторов с использованием усовершенствованного процесса Power Trench, оптимизированного для переключения с низким R DS (ON) производительность и надежность.
Посмотреть весь ассортимент полевых МОП-транзисторов Power Trench®
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 3 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 14 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SSOT-6 |
| Part # Aliases: | FDC3512_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 77 mOhms |
| Rise Time: | 3 ns |
| Series: | FDC3512 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.056Ом |
| Power Dissipation | 1.6Вт |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Непрерывный Ток Стока | 3А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.4В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.6Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.056Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 141 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 6 |
| Series | PowerTrench |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Width | 1.7mm |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
