FGD2736G3-F085, IGBT Transistors ECOSPARK 2 IGNITION IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
500 руб.
от 10 шт. —
400 руб.
от 100 шт. —
298 руб.
от 250 шт. —
255.16 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 500 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 360 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.45 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 21 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 25 uA |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -10 V, 10 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Part # Aliases: | FGD2736G3_F085 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 0.26 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 904 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
