FGH75T65SHD-F155, IGBT Transistors 650 V, 75 A Field Stop Trench IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 900 руб.
от 10 шт. —
1 750 руб.
от 25 шт. —
1 430 руб.
от 100 шт. —
1 141.89 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 900 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
FGH75T65SHD Field Stop Trench IGBTonsemi FGH75T65SHD Field Stop Trench IGBT offers optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential. The FGH75T65SHD features high current capability, high input impedance, and fast switching. The IGBT also offers positive temperature co-efficient for easy parallel operating.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 150 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | FGH75T65SHD_F155 |
| Pd - Power Dissipation: | 455 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | FGH75T65SHD |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 6.39 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1253 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
