HGTD1N120BNS9A, IGBT Transistors 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
480 руб.
от 10 шт. —
370 руб.
от 100 шт. —
269 руб.
от 500 шт. —
212.47 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Решения для управления питанием в облаке Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.5 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 5.3 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 5.3 A |
Continuous Collector Current: | 5.3 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Gate-Emitter Leakage Current: | +/-250 nA |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | DPAK-3 |
Pd - Power Dissipation: | 60 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | HGTD1N120BNS |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Base Part Number | HGTD1N120 |
Current - Collector (Ic) (Max) | 5.3A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 6A |
Gate Charge | 14nC |
IGBT Type | NPT |
Input Type | Standard |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power - Max | 60W |
Series | - |
Supplier Device Package | TO-252AA |
Switching Energy | 70ВµJ(on), 90ВµJ(off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 15ns/67ns |
Test Condition | 960V, 1A, 82Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Вес, г | 0.26 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 216 КБ
Документация
pdf, 217 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов