MMBFJ113, JFET N-Channel Switch

Фото 1/6 MMBFJ113, JFET N-Channel Switch
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
140 руб.
от 10 шт.95 руб.
от 100 шт.40 руб.
от 1000 шт.28.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 140 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8004835519
Артикул: MMBFJ113

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
Описание Транзистор N-JFET, полевой, 350мВт, SOT23, 50мА Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид JFET

Технические параметры

Brand: onsemi/Fairchild
Configuration: Single
Drain-Source Current at Vgs=0: 10 mA to 40 mA
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gate-Source Cutoff Voltage: -3 V
Manufacturer: onsemi
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Operating Temperature Range: -55 C to+150 C
Package / Case: SOT-23
Part # Aliases: MMBFJ113_NL
Pd - Power Dissipation: 350 mW
Product Category: JFET
Product Type: JFETs
Rds On - Drain-Source Resistance: 100 Ohms
Series: MMBFJ113
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Type: JFET
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: -35 V
Brand ON Semiconductor/Fairchild
Configuration Single
Drain-Source Current at Vgs=0 10 mA to 40 mA
Factory Pack Quantity 3000
Gate-Source Cutoff Voltage -3 V
Manufacturer ON Semiconductor
Mounting Style SMD/SMT
Operating Temperature Range -55 C to+150 C
Package / Case SOT-23
Packaging Reel
Part # Aliases MMBFJ113_NL
Pd - Power Dissipation 350 mW
Product Category JFET
Rds On - Drain-Source Resistance 100 Ohms
RoHS Details
Series MMBFJ113
Transistor Polarity N-Channel
Unit Weight 0.001058 oz
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage -35 V
Channel Type N
Drain Gate On-Capacitance 28pF
Idss Drain-Source Cut-off Current min.2mA
Maximum Drain Gate Voltage 35V
Maximum Drain Source Resistance 100 Ω
Maximum Gate Source Voltage -35 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Source Gate On-Capacitance 28pF
Transistor Configuration Single
Width 1.3mm
Drain-Gate Voltage (Max) 35(V)
Gate-Source Voltage (Max) -35(V)
Mounting Surface Mount
Operating Temperature (Max) 150C
Operating Temperature (Min) -55C
Operating Temperature Classification Military
Rad Hardened No
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 444 КБ
Datasheet
pdf, 324 КБ
Datasheet MMBFJ113
pdf, 322 КБ
Документация
pdf, 451 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов