MMBFJ113, JFET N-Channel Switch
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
от 10 шт. —
95 руб.
от 100 шт. —
40 руб.
от 1000 шт. —
28.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
Описание Транзистор N-JFET, полевой, 350мВт, SOT23, 50мА Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | JFET |
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Configuration: | Single |
Drain-Source Current at Vgs=0: | 10 mA to 40 mA |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gate-Source Cutoff Voltage: | -3 V |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Operating Temperature Range: | -55 C to+150 C |
Package / Case: | SOT-23 |
Part # Aliases: | MMBFJ113_NL |
Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
Product Category: | JFET |
Product Type: | JFETs |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 Ohms |
Series: | MMBFJ113 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Type: | JFET |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -35 V |
Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
Configuration | Single |
Drain-Source Current at Vgs=0 | 10 mA to 40 mA |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gate-Source Cutoff Voltage | -3 V |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Mounting Style | SMD/SMT |
Operating Temperature Range | -55 C to+150 C |
Package / Case | SOT-23 |
Packaging | Reel |
Part # Aliases | MMBFJ113_NL |
Pd - Power Dissipation | 350 mW |
Product Category | JFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 100 Ohms |
RoHS | Details |
Series | MMBFJ113 |
Transistor Polarity | N-Channel |
Unit Weight | 0.001058 oz |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | -35 V |
Channel Type | N |
Drain Gate On-Capacitance | 28pF |
Idss Drain-Source Cut-off Current | min.2mA |
Maximum Drain Gate Voltage | 35V |
Maximum Drain Source Resistance | 100 Ω |
Maximum Gate Source Voltage | -35 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Source Gate On-Capacitance | 28pF |
Transistor Configuration | Single |
Width | 1.3mm |
Drain-Gate Voltage (Max) | 35(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | -35(V) |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature (Max) | 150C |
Operating Temperature (Min) | -55C |
Operating Temperature Classification | Military |
Rad Hardened | No |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 444 КБ
Datasheet
pdf, 324 КБ
Datasheet MMBFJ113
pdf, 322 КБ
Документация
pdf, 451 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов