Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › BCX5616TA, Bipolar Transistors - BJT NPN ...

BCX5616TA, Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

120 руб.

от 10 шт. — 81 руб.

от 100 шт. — 33 руб.

от 1000 шт. — 22.64 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.

Номенклатурный номер: 8004841604

Артикул: BCX5616TA

Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Описание Транзистор биполярный BCX5616TA от DIODES INCORPORATED станет надежным компонентом для вашей электронной схемы. Этот NPN-транзистор предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и обладает коллекторным током 1 А, что позволяет ему управлять средними нагрузками. Напряжение коллектор-эмиттер составляет 80 В, а мощность устройства достигает 1,3 Вт, обеспечивая стабильную работу в широком диапазоне применений. Компактный корпус SOT89 значительно экономит пространство на плате. Ищите BCX5616TA для решения ваших проектных задач. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	NPN
Монтаж	SMD
Ток коллектора, А	1
Напряжение коллектор-эмиттер, В	80
Мощность, Вт	1.3
Корпус	SOT89

Технические параметры

Brand:	Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO:	100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	500 mV
Configuration:	Single
DC Collector/Base Gain hfe Min:	25 at 5 mA, 2 V
DC Current Gain hFE Max:	25 at 5 mA, 2 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Gain Bandwidth Product fT:	150 MHz
Manufacturer:	Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current:	1 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	SOT-89-3
Pd - Power Dissipation:	1 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	BCX56
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Brand	Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO	100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Configuration	Single
DC Collector/Base Gain Hfe Min	25 at 5 mA, 2 V
DC Current Gain HFE Max	25 at 5 mA, 2 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V
Factory Pack Quantity	1000
Gain Bandwidth Product FT	150 MHz
Manufacturer	Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current	1.5 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-89-3
Packaging	Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation	1 W
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors
Series	BCX56
Subcategory	Transistors
Transistor Polarity	NPN
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Voltage	80 V
Maximum Emitter Base Voltage	80 V
Maximum Power Dissipation	1 W
Minimum DC Current Gain	100
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-89
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.05