BFS17NTA, RF Bipolar Transistors SINGLE NPN 3.2GHz 50mA 330mw
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
от 10 шт. —
60 руб.
от 100 шт. —
47 руб.
от 500 шт. —
39.81 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\RF Transistors
Trans RF BJT NPN 11V 0.05A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 11 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 50 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 56 at 5 mA, 10 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 3 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Operating Frequency: | 3.2 GHz |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 310 mW |
Product Category: | RF Bipolar Transistors |
Product Type: | RF Bipolar Transistors |
Series: | BFS17 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Transistor Type: | Bipolar |
Automotive | No |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 20 |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 500 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5 5mA 25mA |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 11 |
Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V) | <20 |
Maximum DC Collector Current (A) | 0.05 |
Maximum DC Collector Current Range (A) | 8 to 100 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 3 |
Maximum Emitter Cut-Off Current (nA) | 500 |
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | 403 C/W |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 350 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 3200(Typ) |
Minimum DC Current Gain | 56 5mA 10V |
Minimum DC Current Gain Range | 50 to 120 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Standard Package Name | SOT-23 |
Supplier Package | SOT-23 |
Supplier Temperature Grade | Automotive |
Type | NPN |
Typical Output Capacitance (pF) | 0.8 |
Collector Emitter Voltage Max | 11В |
Continuous Collector Current | 50мА |
DC Current Gain hFE Min | 56hFE |
DC Ток Коллектора | 50мА |
DC Усиление Тока hFE | 56hFE |
Power Dissipation | 310мВт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Корпус РЧ Транзистора | SOT-23 |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 11В |
Полярность Транзистора | NPN |
Рассеиваемая Мощность | 310мВт |
Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
Частота Перехода ft | 3.2ГГц |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 145 КБ
Datasheet BFS17NTA
pdf, 141 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары