ZUMTS17NTA, Bipolar Transistors - BJT SINGLE NPN 3.2GHz 330mW

ZUMTS17NTA, Bipolar Transistors - BJT SINGLE NPN 3.2GHz 330mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
150 руб.
от 10 шт.130 руб.
от 100 шт.78 руб.
от 1000 шт.41.59 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 150 руб.
Номенклатурный номер: 8004841897
Артикул: ZUMTS17NTA
Бренд: DIODES INC.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT SINGLE NPN 3.2GHz 330mW

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 330 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 56
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 50 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO) 20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 11 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 3 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 3.2 GHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия ZUMTS17
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-323-3
Collector Emitter Voltage Max 11В
Continuous Collector Current 50мА
DC Current Gain hFE Min 56hFE
DC Ток Коллектора 50мА
DC Усиление Тока hFE 56hFE
Power Dissipation 310мВт
Квалификация -
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора SOT-323
Линейка Продукции -
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 11В
Рассеиваемая Мощность 310мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности -
Стиль Корпуса Транзистора SOT-323
Частота Перехода ft 3.2ГГц
Вес, г 0.005

Техническая документация

Datasheet ZUMTS17NTA
pdf, 216 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов