ZXMHC3A01N8TC, MOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260 руб.
от 10 шт. —
210 руб.
от 100 шт. —
160 руб.
от 500 шт. —
130.61 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Quad |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 2.9 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 2.72 A, 2.06 A |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 4 Channel |
Package / Case: | SOIC-8 |
Pd - Power Dissipation: | 10.9 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 3.9 nC, 5.2 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 180 mOhms, 330 mOhms |
Rise Time: | 2.3 ns |
Series: | ZXMHC3 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
Transistor Type: | 2 N-Channel, 2 P-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V, 3 V |
Вес, г | 0.75 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 721 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов