ZXMHC3A01N8TC, MOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A

ZXMHC3A01N8TC, MOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
260 руб.
от 10 шт.210 руб.
от 100 шт.160 руб.
от 500 шт.130.61 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 260 руб.
Номенклатурный номер: 8004841991
Артикул: ZXMHC3A01N8TC
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Полевые МОП-транзисторы

Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.

Технические параметры

Brand: Diodes Incorporated
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Quad
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Fall Time: 2.9 ns
Id - Continuous Drain Current: 2.72 A, 2.06 A
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 4 Channel
Package / Case: SOIC-8
Pd - Power Dissipation: 10.9 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 3.9 nC, 5.2 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 180 mOhms, 330 mOhms
Rise Time: 2.3 ns
Series: ZXMHC3
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel, P-Channel
Transistor Type: 2 N-Channel, 2 P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V, 3 V
Вес, г 0.75

Техническая документация

Datasheet
pdf, 721 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов