2N4401-T, Bipolar Transistors - BJT NPN 0.6A 40V Gen Pur
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7317 шт., срок 7-9 недель
110 руб.
от 10 шт. —
81 руб.
от 100 шт. —
43 руб.
от 1000 шт. —
20.80 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
Brand: | Rectron |
Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 750 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 600 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 20 |
DC Current Gain hFE Max: | 300 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 250 MHz |
Manufacturer: | Rectron |
Maximum DC Collector Current: | 600 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-92-3 |
Packaging: | Reel, Cut Tape |
Part # Aliases: | 2N4401 |
Pd - Power Dissipation: | 600 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | 2N440 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 512 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.