ALD1103PBL, MOSFET Dual P&N-Ch. Pair
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
21 шт., срок 7-9 недель
2 550 руб.
от 10 шт. —
2 240 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 550 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Матрица Mosfet согласованная пара с 2 N и 2 P-каналами 10,6 В, 40 мА, 16 мА, 500 мВт, сквозное отверстие 14-PDIP
Технические параметры
| Brand: | Advanced Linear Devices |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Quad |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 mA, 16 mA |
| Manufacturer: | Advanced Linear Devices |
| Maximum Operating Temperature: | +70 C |
| Minimum Operating Temperature: | 0 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 4 Channel |
| Package / Case: | PDIP-14 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 Ohms, 180 Ohms |
| Series: | ALD1103P |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel, 2 P-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| California Prop 65 | Warning Information |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 40mA, 16mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N and 2 P-Channel Matched Pair |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 5V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 0В°C ~ 70В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | 14-DIP (0.300"", 7.62mm) |
| Power - Max | 500mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75Ohm @ 5V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 14-PDIP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 10ВµA |
| Вес, г | 60 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
