ULN2004AIN, Darlington Transistors HiVltg Hi-Current Darl Trans Array

ULN2004AIN, Darlington Transistors HiVltg Hi-Current Darl Trans Array
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
180 руб.
от 10 шт.160 руб.
от 100 шт.108 руб.
от 500 шт.81.56 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 180 руб.
Номенклатурный номер: 8005023516
Артикул: ULN2004AIN
Бренд: Texas Instruments

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Darlington Transistors
Матрица биполярных (BJT) транзисторов 7 NPN Darlington 50V 500mA сквозное отверстие 16-PDIP

Технические параметры

Brand: Texas Instruments
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Configuration: Array 7
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 25
Manufacturer: Texas Instruments
Maximum DC Collector Current: 500 mA
Maximum Operating Temperature: +105 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Through Hole
Operating Temperature Range: -40 C to+105 C
Package / Case: PDIP-16
Packaging: Tube
Product Category: Darlington Transistors
Product Type: Darlington Transistors
Series: ULN2004AI
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Base Product Number ULN2004 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50ВµA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В°C ~ 105В°C (TA)
Package Tube
Package / Case 16-DIP (0.300"", 7.62mm)
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q100 ->
Supplier Device Package 16-PDIP
Transistor Type 7 NPN Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500ВµA, 350mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Вес, г 0.95

Техническая документация

Datasheet
pdf, 982 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов