2N3019 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS

2N3019 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2981 шт., срок 6-8 недель
560 руб.
от 10 шт.440 руб.
от 100 шт.362 руб.
от 250 шт.333.43 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 560 руб.
Номенклатурный номер: 8005049492
Артикул: 2N3019 PBFREE

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 140 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 1 A
DC Collector/Base Gain hfe Min: 100
DC Current Gain hFE Max: 300
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 500
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 1 A
Maximum Operating Temperature: +200 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-39
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 800 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 2.37

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.