2N3799 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT Low Noise Ampl

2N3799 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT Low Noise Ampl
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1715 шт., срок 6-8 недель
910 руб.
от 10 шт.720 руб.
от 25 шт.643 руб.
от 100 шт.515.97 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 910 руб.
Номенклатурный номер: 8005049535
Артикул: 2N3799 PBFREE

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 250 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 50 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 300
DC Current Gain hFE Max: 900
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2000
Gain Bandwidth Product fT: 80 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 50 mA
Maximum Operating Temperature: +200 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-18-3
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 360 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: 2N37
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP
Вес, г 0.31

Техническая документация

Datasheet
pdf, 367 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.