2N3962 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP Low Lvl SS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 шт., срок 6-8 недель
840 руб.
от 10 шт. —
660 руб.
от 100 шт. —
465 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 840 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
Brand: | Central Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 250 mV |
Configuration: | Single |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 40 MHz |
Manufacturer: | Central Semiconductor |
Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
Maximum Operating Temperature: | +200 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-18-3 |
Packaging: | Bulk |
Pd - Power Dissipation: | 360 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | PNP |
Вес, г | 0.31 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 388 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары