2N4234 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
813 шт., срок 6-8 недель
710 руб.
от 10 шт. —
550 руб.
от 100 шт. —
417 руб.
от 250 шт. —
369.94 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 710 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 600 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 3 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 30 |
| DC Current Gain hFE Max: | 175 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 3 MHz |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +200 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-39 |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 6 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вес, г | 1.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 320 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2N5416 PBFREE, Транзистор PNP 350В 1А [TO-39]](https://static.chipdip.ru/lib/691/DOC005691789.jpg)
![2SA1216, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-17А, Vceo=-180В, Vcbo=-180В, Pd=200Вт, hFE= 30…180 [MT-200]](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC005313952.jpg)
![1НТ251 никель (201*г), Транзисторная сборка из 4-х NPN транзисторов [металл]](https://static.chipdip.ru/lib/223/DOC000223869.jpg)
![2SB1560, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-150В, Vcbo=-160В, Pd=100Вт, hFE= 5К…30К [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
